Visió general del producte
L'equip de pel·lícula fina d'evaporació assistida de la sèrie IAE-Ion-integra la deposició física de vapor (PVD) amb el bombardeig de feix d'ions-en temps real. En dirigir ions energètics al substrat durant l'evaporació tèrmica o del feix d'electrons-, el sistema transfereix impuls als àtoms de condensació, reestructurant la microestructura de la pel·lícula en creixement.
Aquesta transferència d'energia cinètica elimina els buits columnars, suprimeix l'absorció d'humitat i bloqueja l'índex de refracció contra els canvis d'humitat ambiental. Creada per al funcionament continu de diversos-torns en línies de producció òptiques i de semiconductors, la plataforma gestiona substrats que van des d'òptiques làser d'alta-precisió fins a hòsties de silici.
-
![Equips d'evaporació al buit assistit per ions-]()
Equips d'evaporació al buit assistit per ions-El sistema d'evaporació al buit assistida per ions-integra fonts d'evaporació de feix-tèrmic o d'electrons d'alt buit-amb una font d'ions de tipus Kaufman-o End-Hall. En bombardejar la pel·lícula...veure més -
![Sistema de deposició de pel·lícules primes assistit d'ions-]()
Sistema de deposició de pel·lícules primes assistit d'ions-El sistema de deposició de pel·lícula fina assistida d'ions-integra l'evaporació tèrmica/feix d'electrons de butxaca múltiple{-butxaca- amb una font d'ions tipus End{-Hall o Kaufman-d'alt...veure més -
![Equip d'evaporació assistida per feix d'ions]()
Equip d'evaporació assistida per feix d'ionsEl sistema IBAE combina evaporació-electrònica o tèrmica amb una font d'ions de feix-ampli integrada. El bombardeig iònic simultània durant el creixement de la pel·lícula transfereix l'energia...veure més -
![Equips de deposició de pel·lícules primes assistits d'ions-]()
Equips de deposició de pel·lícules primes assistits d'ions-L'equip de deposició de pel·lícula fina assistida de la sèrie IA-Ion-integra l'evaporació tèrmica del feix d'electrons- amb una font d'ions Kaufman o End-Hall. El bombardeig d'ions energètics...veure més -
![Sistema de pel·lícula fina d'evaporació assistida d'ions-]()
Sistema de pel·lícula fina d'evaporació assistida d'ions-El sistema de pel·lícula fina d'evaporació assistida per ions (IAE) integra la deposició física de vapor (PVD) amb el bombardeig energètic de raigs d'ions. Durant l'evaporació tèrmica o del feix...veure més -
![Equip de pel·lícula fina d'evaporació assistida d'ions-]()
Equip de pel·lícula fina d'evaporació assistida d'ions-Sistema d'evaporació assistida d'ions-de grau-industrial (IAE) que integra l'evaporació de feix d'electrons-de butxaca múltiple amb una font de feix d'ions energètic (configuració End-Hall o...veure més
Especificacions tècniques
|
Paràmetre |
Especificació |
|
Pressió base definitiva |
< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping) |
|
Fonts d'evaporació |
Pistola multi-butxaca E-de feix (4 × 15 cc a 40 cc) i fonts tèrmiques resistives |
|
Tipus de font d'ions |
Font d'ions tipus Gridless End-Hall / Kaufman- (tensió del feix: 50 – 1500 V, corrent iònic: 0,1 – 3 A) |
|
Control del gruix de la pel·lícula |
Microbalanç de cristall de quars (QCM) + Sistema de control òptic (OMS), precisió ± 0,1 nm |
|
Fixació del substrat |
Dispositiu de rotació planetària, radi de cúpula personalitzat a la geometria del substrat |
|
Calefacció de substrat |
Matriu d'escalfadors radiants, fins a 350 graus amb uniformitat PID de ± 2 graus |
|
Arquitectura de control |
PLC + PC industrial, execució automatitzada de receptes, registre de dades conforme a SECS/GEM |
-Procés de deposició assistida d'ions
Generació de vapor:
El material s'evapora del gresol e-o el vaixell tèrmic a velocitats de deposició controlades (0,1 – 2,0 nm/s).
01
Transferència d'impuls:
Els ions energètics (Ar⁺, O⁺) bombardegen la superfície del substrat simultàniament amb el flux de vapor que arriba del feix E-o la font tèrmica.
02
Modificació de la microestructura:
L'impacte dels ions millora la mobilitat de la superfície de l'adatom, evitant el creixement del gra columnar i aconseguint una densitat aparent gairebé -(densitat d'empaquetament > 99%).
03
Correcció d'estequiometria:
L'assistència d'ions reactius (O₂) assegura l'oxidació completa dels sub{0}}òxids en pel·lícules d'òxids metàl·lics (per exemple, Ta₂O₅, Nb₂O₅, SiO₂), eliminant les bandes d'absorció en l'espectre UV-NIR.
04
Materials cinematogràfics
Òxids:
SiO₂, Ta₂O₅, TiO₂, Nb₂O₅, HfO₂ (Estabilitat d'índex de refracció alt per a filtres òptics).
Fluorurs:
MgF₂, LaF₃ (Capes d'índex de refracció baix per a recobriments AR de banda ampla).
Metalls:
Al, Ag, Au, Ti (Capes d'adhesió i reflectors metàl·lics).
Aplicacions
Làser i òptica de precisió:
Filtres passabanda, miralls dicroics i recobriments de protecció làser que requereixen un llindar de dany induït per làser-alt (LIDT) i un desplaçament espectral zero sota estrès tèrmic.
Vidre de coberta LiDAR:
Pel·lícules fines anti-reflectants (AR) i anti-sucia i resistents a la intempèrie a l'exterior.
Embalatge de semiconductors:
Capes d'encapsulació de-barrera d'humitat i coixinets de contacte metàl·lics dipositats a baixes temperatures del substrat.
Sensors biomèdics:
Recobriments d'interferència òptica biocompatible per a xips microfluídics de diagnòstic.
Personalització
Les cambres i els dissenys interns estan dissenyats per a les petjades de fabricació específiques i els requisits del procés:
Dimensions de la cambra:
Escalable des d'unitats de R+D de R=600 mm fins a sistemes de producció d'alta-capacitat R=1200 mm.
Paquets de bombeig:
Configurable amb bombes turbomoleculars Maglev, criobombes i línies de suport de ventiladors Roots en funció dels requisits de càrrega de gas.
Integració de fonts:
Configuracions de font d'ions dual-o configuracions de co-deposició per a pel·lícules d'aliatge complexes i de gradient multi-capes.
Nivell d'automatització:
Integració amb sistemes automatitzats de transferència de substrats de sales netes (EFEM / Vacuum cluster tools).
Control de qualitat
Detecció de fuites:
Totes les cambres de buit són provades de fuites d'heli-utilitzant un espectròmetre de masses (taxa de fuites < 1,0 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s).
Traçabilitat dels components:
Vàlvules de buit, controladors de flux massiu (MFC) i fonts d'alimentació procedents de marques industrials qualificades de nivell 1 (MKS, Inficon, IVA).
Proves d'acceptació de fàbrica (FAT):
Feu proves-que verifiquen la pressió base, la corba de bombeig, l'estabilitat de la font i la resistència contínua de la cambra buida de 24-hores abans de l'enviament.
Validació de metrologia:
La mostra es va verificar mitjançant espectrofotòmetre (transmittància/reflectància) i microscòpia de força atòmica (rugositat superficial Ra < 0,5 nm).
Instal·lació i suport tècnic
Guia de preparació del lloc:
Requisits integrals de serveis subministrats abans del lliurament (flux/pressió d'aigua de refrigeració, aire comprimit de sala blanca, distribució d'energia, ventilació d'escapament).
Posada en marxa clau en mà:
Els enginyers de servei de camp s'ocupen del muntatge mecànic, de la cocció al buit-, de la calibració del feix d'ions i de la signatura de la recepta del procés inicial-al lloc-.
Formació d'operadors:
Formació pràctica-estructurada que inclou el manteniment rutinari, la seguretat de l'aspirador, el funcionament del programari i la resolució de problemes.
Suport al cicle de vida:
Interfície de diagnòstic remot per a la resolució ràpida de problemes del programari; estoc regional d'articles de desgast crític (filaments, gresols, escuts) enviat en 48 hores.
PMF
Som coneguts-com un dels principals fabricants i proveïdors d'equips de pel·lícula fina d'evaporació assistida per ions-a la Xina. Si voleu comprar equips personalitzats de pel·lícula fina d'evaporació assistida per ions-fabricats a la Xina, us convidem a obtenir la llista de preus de la nostra fàbrica. Per consultar preus, poseu-vos en contacte amb nosaltres.
