La sèrie EBE-V600 és una plataforma de deposició física de vapor (PVD) a escala-industrial dissenyada per a un recobriment precís de pel·lícula-prima de components òptics, dispositius semiconductors i materials avançats. En dirigir un feix d'electrons d'alta-energia i enfocat magnèticament cap a materials font dins dels gresols refrigerats per aigua-, el sistema aconsegueix velocitats d'evaporació ràpides alhora que manté les càrregues tèrmiques aïllades de les parets de la cambra.

L'arquitectura incorpora fonts d'electrons de butxaca múltiple i sensors de microequilibri de cristall de quars (QCM), que garanteixen la fidelitat de la pel·lícula estequiomètrica i un control coherent del gruix a través de piles dielèctriques o metàl·liques multi-capes.

Especificacions tècniques

Paràmetre tècnic	Valor d'especificació
Geometria i material de la cambra	Vas cilíndric Φ600 mm x 600 mm; Interior electropolit SS304 amb camisa d'aigua de refrigeració externa
Pressió base definitiva	<= 5.0 x 10^-5 Pa (achieved via 12-hour bake-out and high-vacuum pumping)
Baixa el temps de cicle{0}}	<= 15 minutes (From atmosphere to 1.0 x 10^-3 Pa)
Potència del canó electrònic	Configuració multi-butxaca de 6 kW a 12 kW amb una deflexió del feix de 270 graus
Capacitat de la llar del gresol	De 4 a 6 butxaques (gresols de coure/grafit intercanviables, de 15 a 40 cc de volum per butxaca)
Rotació de l'etapa del substrat	0 a 30 RPM velocitat variable planetari o accionament directe
Gamma de calefacció del substrat	Ambient a 600 graus mitjançant una matriu de làmpades halògenes de bucle tancat-PID
Monitorització del gruix	Sensors QCM duals amb control automàtic de retroalimentació de l'obturador

Característiques clau

Pistola E-de deflexió magnètica de 270 graus:Aïlla el filament de tungstè dels camins directes del vapor, evitant els curt-circuits i allargant la vida operativa entre els intervals de manteniment.

Control d'escombrat digital:Els patrons de trama programables distribueixen l'energia electrònica de manera uniforme a la superfície de l'evaporant, mitigant la formació de forats i l'evaporació preferencial durant la deposició d'aliatge.

Arquitectura de buit desacoblada:Les línies de bombeig de desbast i d'alt-buit estan aïllades estructuralment del marc de la cambra principal per suprimir la transferència de vibracions mecàniques durant el creixement de la pel·lícula.

Matriu de seguretat de bloqueig de maquinari:Monitorització de PLC-en temps real del flux d'aigua de refrigeració, retroalimentació d'alta-tensió, pressió pneumàtica i integritat del segell de la porta.

Configuració del sistema de buit

El subcircuit de buit-s'ha dissenyat per a un cicle ràpid i una pressió base baixa per minimitzar la incorporació de gas residual (H2O, O2, N2) a les pel·lícules en creixement:

Bomba de buit{0}alt:Bomba turbo-molecular de 1.200 L/s amb el suport d'una bomba de paletes rotatives de doble-etapa (o una configuració de bomba de desplaçament sec per a la conformitat de la sala blanca).

Vàlvula d'aïllament:Vàlvula de comporta d'alta{0}}conductància accionada pneumàticament que aïlla la cambra durant les operacions de càrrega.

Mesurament del buit:Indicadors d'ionització Pirani i de càtode fred combinats que cobreixen un rang continu des de l'atmosfera fins a 10^-6 Pa.

Materials i substrats de pel·lícules

Fonts evaporants compatibles

Òxids i dielèctrics:SiO2, TiO2, Ta2O5, Al2O3, HfO2

Metalls purs:Au, Ag, Al, Ti, Cr, Pt, Ni

Semiconductors i conductors:Si, Ge, ITO (òxid d'estany d'indi)

Aplicacions

Filtres d'interferències òptiques:Deposició d'apilament de múltiples-capes d'índex-alt i-baix-per a filtres de pas de banda-estrets i miralls làser.

Fabricació de dispositius semiconductors:Formació de contacte òhmic, deposició d'òxids de la porta i capes de llavors metàl·liques.

Recerca OLED i pantalla:Proves de deposició de càtode metàl·lic prim i de passivació orgànica/inorgànica multi-capes.

Recobriments refractaris durs:Capes protectores-resistents al desgast per a components mecànics i aeroespacials.

Personalització

Ampliació de la cambra:Alçades de vaixells ampliades o geometries rectangulars adaptades per a la integració d'eines de clúster.

Integració de fonts:Fonts d'evaporació tèrmica concurrents (barques resistives) combinades amb canons de feix d'electrons.

-Deposició assistida d'ions (IAD):Integració d'una font d'ions final-Hall o Kaufman per a la densificació de la pel·lícula i l'ajust de l'estrès.

Arquitectura del programari:Programació de receptes PLC/HMI compatible amb els marcs d'automatització Siemens S7 o Beckhoff.

Control de qualitat

Prova de fuites d'heli de l'espectròmetre de masses:Cada soldadura de cambra es prova amb un llindar de rebuig de <1 x 10^-9 Pa·m3/s abans de la integració.

Conformitat elèctrica:Proves de resistència dielèctrica d'alta tensió-i verificació de continuïtat de la connexió a terra segons les directrius CE/UL.

Proves d'acceptació de fàbrica (FAT):72-hores contínues de prova en sec-enregistrament de corbes de pressió base, repetibilitat de l'escombrat del feix electrònic i temps de resposta d'enclavament. Documentació de prova enviada amb la unitat.

Instal·lació i suport tècnic

Posada en marxa del lloc:Els enginyers-certificats de fàbrica gestionen l'alineació mecànica, la verificació de fuites al buit, la supervisió de la connexió de serveis públics i les execucions de calibratge inicial.

Formació tècnica:Formació in situ de 3-dia sobre protocols operatius i de manteniment que inclou la substitució de filaments, la reconstrucció de la vàlvula de buit i l'edició de receptes.

Documentació a lliurar:Enquadernadors tècnics complets que inclouen esquemes de P&ID, esquemes de cablejat elèctric, fitxers de còpia de seguretat de PLC i detalls de peces de recanvi.

Preguntes freqüents

P: Quina és la vida útil del filament de tungstè e-gun i com se'n fa el servei?

A: sota pressions de treball estàndard (<= 10^-4 Pa) and clean source materials, filament lifespan averages 30 to 50 operational hours. A quick-access vacuum flange allows cartridge exchange within 20 minutes without venting the entire manifold.

P: Com evita el sistema escopir durant la deposició d'òxids?

R: El generador d'escombrat digital distribueix l'energia d'electrons a través d'una matriu de trama calculada a la pastilla d'òxid. Això elimina el sobreescalfament localitzat, evita l'ebullició explosiva i suprimeix l'ejecció de micro-gotes.

P: Quines infraestructures de serveis públics són obligatòries al lloc d'instal·lació?

A: Cooling Water: Supply pressure 0.25 MPa to 0.4 MPa, flow rate >= 30 L/min, temperatura entre 18 i 25 graus .
Xarxa elèctrica: 3-fàsiques, 380 V ± 10%, 50/60 Hz (o configurada de fàbrica segons els estàndards regionals).
Aire comprimit: aire sec de 0,5 MPa a 0,7 MPa per a actuadors de vàlvules pneumàtiques.

P: L'accés de diagnòstic remot està integrat al sistema de control?

A: Sí. Un port Ethernet aïllat admet una connexió VPN segura per a la recuperació remota del registre de PLC i la resolució de problemes del programari per part del nostre equip d'enginyeria.

Etiquetes populars: Equips de pel·lícula fina d'evaporació de feix d'electrons, fabricants d'equips de pel·lícula fina d'evaporació de feix d'electrons de la Xina, proveïdors, fàbrica