L'equip de deposició de compostos PVD industrial està dissenyat per a la fabricació de pel·lícules primes-de múltiples-components, multi{-capes i nano-composites. El sistema integra l'evaporació tèrmica, l'evaporació del feix d'e-i les fonts de polverització de magnetrons dins d'un únic entorn de buit per controlar la composició de la pel·lícula, la nitidesa de la interfície i la tensió residual. Creada per a la R+D i la producció contínues, l'arquitectura compta amb una pressió base baixa, una configuració de font modular i un accés de manteniment net.
Especificacions tècniques
|
Paràmetre |
Especificació Interval / Valor |
|
Pressió de buit màxima |
<= 5.0 x 10^-5 Pa (cryo/turbomolecular configuration) |
|
Bomba-Temps d'inactivitat |
Atmosfèric fins a 6,0 x 10^-4 Pa in<= 15 minutes (clean, dry, empty chamber) |
|
Mida del suport del substrat |
Configuracions personalitzades: plat plana de fins a . 600 mm de diàmetre o etapes planetàries |
|
Uniformitat del gruix de la pel·lícula |
< +/- 1.5% across standard working area (verified via in-situ optical monitoring) |
|
Interval de temperatura del substrat |
Ambient a 800 °C (controlat PID, halògens de quars/escalfament resistiu) |
|
Fonts de deposició |
Canons multi-e-de butxaca, vaixells tèrmics i càtodes de magnetró RF/DC |
|
Material de cambra |
Acer inoxidable 304L/316L, parets interiors electro-polides (Ra<= 0.2 um) |
|
Interfície de control del sistema |
Arquitectura PLC + IPC, execució automatitzada de receptes, registre SCADA |
Característiques clau
Integració de fonts modulars:Els ports de la cambra permeten operacions simultànies o seqüencials de fonts d'evaporació i polverització sense contaminació creuada-.
Manipulació dinàmica del substrat:Els mecanismes d'accionament de rotació planetari o de rotació de diversos eixos-asseguren un recobriment conforme en substrats 3D complexos i rases profundes.
-Ports de supervisió in situ:Brides pre-alineades per a microequilibri de cristall de quars (QCM), espectroscòpia d'emissió òptica (OES) i monitorització òptica de banda ampla (BOM).
Integritat al buit de -puresa alta:Brides segellades de metall-conflat (CF), vàlvules pneumàtiques i proves de fuites de l'espectròmetre de masses d'heli fins a 1,0 x 10^-10 Pa*m3/s.
Seguretat d'enclavament automàtic:La retroalimentació del sensor-en temps real protegeix contra fallades de l'aigua de refrigeració, pèrdua d'aire comprimit i anomalies de sobre-temperatura.
Configuració del sistema de buit
Bombes de desbast i arrels:Les bombes de cargol sec-sense oli combinades amb bufadors d'arrels impedeixen el retorn d'hidrocarburs a la cambra de procés.
Bombes d'alt-buit:Bombes turbomoleculars de levitació magnètica o bombes criogèniques d'heli{0}}de bucle tancat seleccionades segons els requisits de càrrega de gas objectiu.
Regulació de la pressió:Els controladors de la vàlvula d'acceleració integrats amb manòmetres de capacitat mantenen una pressió de procés estable (0,1 Pa a 10 Pa) durant les execucions reactives.
Compatibilitat de materials i substrats
Materials de deposició
Metalls:Ti, Al, Cr, Cu, Au, Ag, Ni, Mo, W, Pt
Òxids i dielèctrics:SiO2, TiO2, Ta2O5, Al2O3, HfO2
Nitrurs i Carburs:TiN, TiAlN, CrN, Si3N4
Materials de suport
Semiconductors:Hòsties de silici (100 mm a 300 mm), vidre, quars, safir
Metalls i aliatges:Acer inoxidable, aliatges de titani, acers per a eines, superaliatges
Ceràmica i polímers:Pel·lícules d'alúmina, zirconi, poliimida
Aplicacions
Filtres d'interferències òptiques:Recobriments multi{-anti-reflectants (AR), filtres de pas de banda i miralls-de reflector alt per a làsers i sensors.
Recobriments durs-resistents al desgast: recobriments de nitrur de nanocomposites (TiAlN/Si3N4) en eines de tall de precisió i trens de vàlvules d'automoció.
Pel·lícules primes microelectròniques:Capes de barrera conductora, capes de llavors i piles de metal·lització de contacte per a envasos de semiconductors.
Pel·lícules d'energia funcional:Òxids conductors transparents (TCO) i capes absorbents per a dispositius fotovoltaics i sensors.
Opcions de personalització
Dimensions de la cambra:Volum a escala des de l'escala d'R+D (cub de 400 mm) fins a l'escala de producció (dià. 1200 mm cilíndrica).
Dissenys del port d'origen:Posicionament personalitzat de la brida per integrar fonts d'ions de tercers-, deposició assistida per plasma- (PAD) o generadors de polarització de RF.
Carrega-Bloqueja la integració:Configuracions d'eines de càrrega manual-bloqueig,-càrrega d'hòstia-única o multi-clúster per evitar l'oxidació.
Control de qualitat i compliment global
Compliment global d'electricitat i seguretat:Armaris de control construïts segons les directrius UL 508A / NFPA 79 (Amèrica del Nord), CE (Europa) i SEMI S2/S8 EHS.
Prova de buit:Les cambres soldades es sotmeten a la detecció de fuites de l'espectròmetre de masses d'heli abans de l'acabat de la superfície.
Inspecció dimensional:Verificació de la màquina de mesura de coordenades (CMM) dels plans de muntatge de la font i les toleràncies del substrat.
Prova d'acceptació de fàbrica (FAT):Prova d'execució en sec contínua de 72-hores-que enregistra la disminució de la pressió de la base, les corbes de bombeig i els registres de resposta del PLC.
Instal·lació i suport tècnic
Enginyeria pre-instal·lació:Provisió de manuals de requisits de les instal·lacions (utilitats, flux/pressió d'aigua de refrigeració, ventilació d'escapament, càrrega del sòl de la sala blanca).
-Comissió en funcionament al lloc:Els enginyers de servei de camp supervisen el muntatge, la connexió de la línia de buit, la connexió elèctrica-i la bomba-de baixada inicial.
Ajuda per a l'ajust del procés:La prova col·laborativa s'executa amb els equips d'enginyeria del client per verificar la uniformitat de la pel·lícula i les taxes de deposició.
Suport al cicle de vida:Integració de mòduls de diagnòstic remot per a la resolució de problemes de PLC-en temps real, amb el suport d'un inventari de recanvis localitzat.
Preguntes freqüents
P: Quin és el termini d'execució d'un sistema personalitzat?
R: Les configuracions estàndard requereixen de 16 a 24 setmanes des de l'aprovació del dibuix fins a la preparació de fàbrica, depenent dels terminis de lliurament de la bomba de buit.
P: Com es gestiona la-contaminació creuada durant la co-diposició multi-font?
R: Les cambres incorporen blindatge físic entre fonts, persianes de fonts individuals i anells de distribució de gas direccionals per evitar la migració de partícules.
P: Aquest equip es pot integrar en una sala neta?
A: Sí. Els sistemes admeten a través de la--instal·lació de paret (habitació groga/sala neta), col·locant la cambra de procés dins de la sala neta i els bastidors d'utilitat a la recerca de servei.
P: Quins requisits d'utilitat s'han de preparar abans del lliurament?
A: Requirements include 3-phase power (configured to local 480V/380V standards), chilled cooling water (18 deg.C to 22 deg.C, >= 3 bar), aire comprimit (6 bar sec/filtrat) i una línia d'escapament de bomba de desbast dedicada.
Etiquetes populars: Equips de deposició de compostos de pvd, fabricants d'equips de deposició de compostos de pvd de la Xina, proveïdors, fàbrica

