Sistema de deposició de pel·lícula fina amb feix d'electrons

El sistema de deposició de pel·lícula fina de feix d'electrons ofereix un processament PVD direccional i d'alta{0}}puresa per a la investigació avançada i la producció industrial. Utilitzant un feix d'electrons dirigit magnèticament i dirigit cap al material font dins d'un gresol de coure refrigerat per aigua-, el sistema aconsegueix l'evaporació tèrmica de metalls refractaris, òxids i compostos dielèctrics sense contaminació del gresol.

Dissenyada per a la integració de sales netes, l'arquitectura combina cambres de buit modulars, pistoles de feix E-de butxaca múltiples i-automatització de processos de bucle tancat per controlar el gruix de la pel·lícula, l'estequiometria i la nitidesa interfacial.

Deflexió magnètica de 270 graus:Doble la trajectòria dels electrons per protegir el filament emissor del flux de vapor directe, allargant la vida útil i estabilitzant el corrent d'emissió.

Control d'escombrat digital:Els patrons de feix programables eliminen els túnels de gresol localitzats i mantenen un consum de material uniforme a les llars de múltiples-butxaques.

Reglament de -bucle tancat QCM:La retroalimentació del sensor dual-ajusta dinàmicament les sortides de la font d'alimentació per estabilitzar les taxes de deposició i suprimir la deriva estequiometria de l'aliatge.

Arquitectura d'enclavament PLC:Monitorització-en temps real del flux d'aigua de refrigeració, aïllament d'alta-tensió, segells de portes i pressió frontal per protegir els operadors i la integritat del buit.

Ports de dipòsit auxiliars:Els punts d'accés amb brides admeten la integració secundària, incloses les embarcacions tèrmiques, les pistoles d'ions en quadrícula de deposició assistida per ions (IAD) i els càtodes de polverització de magnetrons.

Etapa de desbast:La-bomba de desplaçament lliure d'oli combinada amb un ventilador d'arrels aconsegueix una vibració-aïllada fins a 10^-2 Torr, eliminant el retrocés d'hidrocarburs.

Etapa d'alt-buit:Bomba turbomolecular (de 1200 L/s a 2200 L/s) recolzada per una trampa criogènica, que manté pressions de procés operacional entre 10^-6 i 10^-4 Torr.

Construcció de la cambra:Acer inoxidable 304L amb doble-anell tòric-segellat i alleujat{2}}d'estrès amb superfícies interiors electropolimentades per minimitzar la desgasificació i la retenció d'humitat.

Materials de deposició compatibles
Metalls refractaris:Titani (Ti), Crom (Cr), Tàntal (Ta), Molibdè (Mo), Tungstè (W), Platí (Pt), Or (Au).

Dielèctrics i òxids:Diòxid de silici (SiO2), diòxid de titani (TiO2), pentòxid de tantal (Ta2O5), òxid d'alumini (Al2O3), diòxid d'hafni (HfO2).

Substrats compatibles
Hòsties de semiconductors (Si, GaAs, InP, de 2 polzades a 8 polzades).

Vidres òptics en blanc, quars, sílice fosa i finestres de safir.

Làmines metàl·liques flexibles i substrats ceràmics (Al2O3).

Fabricació de semiconductors:Deposició de contacte de la porta metàl·lica, capes de barrera i piles de metal·lització d'aixecament-per a la investigació microelectrònica i les línies pilot.

Òptica de precisió:Filtres d'interferència òptica multi{-capa, recobriments anti-reflectants (AR), miralls làser d'alt-reflexió i divisors de feix.

Optoelectrònica:Elèctrodes conductors transparents i capes de-pel·lícula fina per a pantalles OLED, fotodetectors i cèl·lules solars.

Materials avançats:Creixement d'aliatges magnètics, precursors de superconductors i recobriments protectors -resistents al desgast.

Dimensions de la cambra:Volums verticals o horitzontals a escala per adaptar-se a instal·lacions industrials no estàndard-o panells de gran-àrea.

Configuracions de co-evaporació:Integració de múltiples pistoles de feix E-i cèl·lules d'efusió tèrmica per a la síntesi d'aliatges complexos.

Carrega-Bloqueja la integració:Braços de transferència lineals manuals o automatitzats per mantenir una alta-integritat al buit durant la càrrega d'hòsties d'alt-rendiment.

Integració de programari:Protocols personalitzats SCADA que admeten l'edició de receptes, el registre d'auditoria i els estàndards d'automatització de fàbrica SECS/GEM.

Detecció de fuites d'heli:Les proves de l'espectròmetre de masses garanteixen que les taxes de fuites de la soldadura de la cambra es mantinguin per sota d'1 x 10 ^ -9 atm * cm3/s.

Verificació elèctrica:Proves d'aïllament d'alta tensió-, comprovacions de continuïtat de terra i validació de resposta d'enclavament segons els codis de seguretat industrial.

Proves d'acceptació de fàbrica (FAT):72-hores de gravació operativa contínua que enregistra les corbes de buit finals, l'estabilitat de les emissions de la pistola i l'execució automatitzada de receptes abans de l'enviament.

-Guia prèvia a la instal·lació:Documentació detallada que inclou llaços d'aigua refrigerada de bucle tancat-, ventilació d'escapament, requisits de càrrega elèctrica (380 V/480 V trifàsica) i càrrega del sòl de la sala blanca.

Encàrrec de camp:-Posicionament mecànic al lloc, enllaços de la línia de buit-, connexions elèctriques i calibració de la línia de base executada pels enginyers de servei de fàbrica.

Formació operativa:Instruccions pràctiques-que inclouen la substitució de filaments, la recàrrega del gresol, el calibratge de QCM i la resolució de problemes rutinàries de PLC.